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先进电子材料项目启动了北京大学、清华大学等14个单位,共同开发第三代半导体氮化物

作者:北京快乐8计划 发布日期:2019-11-21 02:02

  文摘:10、月18日,北京大学、、清华大学等14个单位联合!开展了氮化物半,导体新结构材料和新功能,设备研究项目。本项目是战略先进电子材料研发项目的重点.

  2018年10月。18日,北京大。学作为领导单位。清华大学中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所等14个单位联合开展了氮。化物。半导体。新结构材料和新功能设备研究项目。

  战略先进电子材料的实。施周期为、5年(201、6-2020年)。根据第三;代半导体材料和半导体照明新显示的大功率激光材料和设备的高端光电子和微!电子材料,共部署了35项。研究任务。计划在2018年开展5项研究项目。

  据报道,氮化物半导体新结构材,料和新功能设备研究项目围绕后摩尔信息领域对光电子和电子设备的需求。对基于氮化物半导体的新结构材料和新功能设备进行了研究。突破了氮化物,半导体的零维量子点、一维量子线和二维量子夹及其复,合结构。深入研究低维量子结构中载流子的运输/运输,/运输/运行及其监管,法。开发了单光子源,紫外红外双色探测器泰赫兹发射,和探测设备和自旋场效应晶体管装置,形成独立知识产权的核心技术。为第三代半导体材料和设备的连续,发,展奠定了基矗

  第三代,半导体材料和;相关设备芯片由氮化镓(GaN)碳化硅(Sic)代表。具有禁带宽突破!电场强度高、饱和电子迁移率高、热导率高、、介电常数孝抗!辐射能、力强等。优点。广泛应用于新能源汽车轨道交通智能电网、新一代移动消费电子等领域。它被认为是支持能源、交通信息、国防等行业发展的核心技术。郝悦院士说,氮化物材料系统的总体发展是非常好的。首先,它。在光电LED领;域取得了巨大的成功,微波电子设备领域开始得到广泛的应用。特别是在移动通信和国防领域(雷达电子对抗通信等)。然而。,由于我国对SiCGaN材料和设备的研究较晚,;与国外相比仍存在差距。迫切需要改进SiC和GaN材料的准备和质量。

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